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英特尔称已掌握10纳米芯片制造工艺

2012年09月17日 08:05:00 浏览:337次 来源:新浪科技
     新浪科技讯 北京时间9月14日下午消息,英特尔研究人员表示,他们已经破解了10纳米芯片制造技术难题,为生产能耗更低的先进芯片奠定了基础。

  英特尔Ivy Bridge和Haswell两种芯片都将采用22纳米制造工艺生产,在此之后,英特尔将转向14纳米制造工艺,并预计将在2013年晚些时候或2014年初开始用这种技术制造芯片。周三,在英特尔开发者论坛上,该公司高管透露他们还掌握了制造10纳米芯片的技术。
 

  英特尔技术制造部门工艺架构与整合主管马克·波尔(Mark Bohr)说:“14纳米芯片技术现已处于全面的开发模式,正在为明年底启动全面生产做准备。眼下,我将自己的个人时间都用在了10纳米技术上面,看上去我们已经找到了解决办法。”
 

  波尔称,10纳米芯片技术可能依赖于一系列实验性技术,可能涉及光子学、材料合成、最新三栅级晶体管、极紫外光微影(EUV)等方面的技术。在有关如何生产10纳米芯片的问题上,英特尔可能会采用沉浸式光刻(immersion lithography)技术,尽管它更希望使用EUV技术。
 

  波尔暗示,使用EUV技术生产10纳米芯片存在诸多困难:“我希望采用EUV技术生产10纳米芯片,但我认为它届时还不成熟。”此外,EUV技术的制造成本也高于沉浸式光刻技术。英特尔研究团队还在积极探索生产7纳米和5纳米芯片的技术,但这一目标距离现在过于遥远,因为10纳米芯片技术要到2015年才能达到生产标准。
 

  波尔最后表示,与AMD、ARM等竞争对手不同的是,英特尔旗下拥有和运营着芯片生产工厂。他说:“工艺流程开发的确需要巨额投资,但也会带来巨大的经济优势。”(清辰)

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